Release Readiness
25%
Release Readiness
25%
Roadmap Progress
0%
Planlı adımların tamamlanma oranı
Checklist Progress
0%
Detay görev kapanış oranı
Reports / Avg Quality
3 / 93%
Rapor sayısı / kalite ortalaması
Days To Final
103
31 Temmuz 2026 teslimine kalan gün
Teknik Eğitim ve Doğrulama Platformu
Sprint-5, 7 | 6 hafta | Common-centroid, guard ring, PEX akışı
Common-centroid, guard ring, PEX akışı
Hedef: Layout (fiziksel tasarım) sürecini, kritik teknikleri ve PEX akışını öğrenmek.
Süre: Sprint-5 (6-27 Nisan 2026) layout başlangıcı + Sprint-7 chip-level düzenlemeler
İlişkili iş paketi: WP-4 (Layout + PEX + signoff)
Çıkış kriteri: BGR post-layout ilk sonuçlar (Sprint-5), tüm bloklar PEX ile doğrulanmış (Sprint-7)
Layout = Fiziksel Tasarım = Serim
Şematik üzerinde çizdiğin devreyi gerçek silikon üzerindeki fiziksel yapılara dönüştürme işlemi. Transistörlerin boyutları, konumları, metal bağlantıların yolları ve katmanları burada belirlenir.
[Şematik Tasarım]
↓
[Layout Çizimi] ← Fiziksel yerleşim ve routing
↓
[PEX (Parasitik Çıkarım)] ← Quantus ile R/C çıkarımı
↓
[Post-Layout Simülasyon] ← PEX netlistiyle re-simülasyon
↓
Pass? ──→ Hayır → Layout düzelt → [Layout Çizimi]'ne dön
│
↓
Evet → [DRC/LVS Signoff]
Bu döngü her blok için en az 2-3 kez tekrarlanabilir. Takvimde bunun için tampon bırakılmıştır.
| Sıra | Blok | Gerekçe |
|---|---|---|
| 1 | BGR | Küçük alan, matching-kritik. Layout teknikleri burada öğrenilir. |
| 2 | AFE | Geniş bant, simetri-kritik. BGR deneyiminden sonra daha verimli yapılır. |
| 3 | Top-level | Her iki bloğun PEX sonuçları doğrulandıktan sonra birleştirilir. |
Nedir: Eşleşmesi gereken eleman çiftlerinin (dirençler, transistörler) chip üzerinde merkez noktasına göre simetrik yerleştirilmesi.
Neden gerekli: Chip üretimi sırasında sıcaklık, doping yoğunluğu ve diğer parametreler konuma göre değişir (proses gradyanı). Common-centroid yerleşim bu gradyanın etkisini minimize eder.
Örnek (4 elemanlı ABBA yerleşim):
┌─────────────────────────┐
│ A₁ B₁ B₂ A₂ │
│ │ ← Merkez noktası
│ Simetri ekseni │
└─────────────────────────┘
A₁ ve A₂ → Aynı elemanın iki parçası (merkeze göre simetrik)
B₁ ve B₂ → Eşleştiği elemanın iki parçası (merkeze göre simetrik)
Projede kullanım:
- BGR'da direnç çiftleri ve kritik MOS çiftleri
- BGR TC performansını doğrudan etkiler
- AFE'de diferansiyel yol transistörleri
Nedir: Aktif devre blokları etrafına yerleştirilen iletken halka yapısı.
Ne yapar:
- Substrate gürültüsünü izole eder
- Latch-up (istenmeyen parazitik SCR tetiklenmesi) riskini önler
- Komşu bloklardan gelen gürültüyü engeller
┌─────────────────────────────┐
│ Guard Ring (P+ veya N+) │
│ ┌───────────────────────┐ │
│ │ │ │
│ │ Aktif Devre │ │
│ │ (BGR core, AFE...) │ │
│ │ │ │
│ └───────────────────────┘ │
│ │
└─────────────────────────────┘
Projede kullanım: Tüm kritik bloklarda (BGR core, AFE bias, opamp) uygulanır.
Nedir: Diferansiyel devrelerdeki P (pozitif) ve N (negatif) yollarının fiziksel olarak tam simetrik yerleştirilmesi.
Neden gerekli:
- Parasitik farkları minimize eder
- Ortak-mod baskılamayı korur
- AFE'de göz yüksekliği ve genişliği kalitesini belirler
Kurallar:
- P ve N yolları ayna simetrik olmalı
- Metal hatlar eş uzunlukta olmalı
- Kritik bağlantılarda asimetri 10%'u geçmemeli
| Kural | Açıklama | Neden |
|---|---|---|
| Diferansiyel hatlarda eş uzunluk | P ve N metal hatları aynı uzunlukta | Parasitik fark minimizasyonu |
| Bias hatlarını sinyal hatlarından ayır | Farklı metal katmanlar veya mesafe | Gürültü bağlaşımını önle |
| Kısa kritik hatlar | Yüksek hızlı sinyal yolları minimum uzunlukta | Parasitik R/C azaltma |
| Geniş VDD/GND hatları | Güç hatları yeterli genişlikte | IR drop (gerilim düşümü) önleme |
Layout'taki fiziksel yapılardan (metal hatlar, via'lar, transistör yerleşimleri) kaynaklanan parasitik R (direnç) ve C (kapasitans) değerlerinin hesaplanması.
[Layout (GDS)] → [Quantus/Extractor] → [PEX Netlist (.scs)] → [Spectre Post-Layout Simülasyon]
| Seviye | İçerik | Doğruluk | Süre |
|---|---|---|---|
| RC | Parasitik R ve C | Yüksek | Orta |
| RCC | R + coupling C | Çok yüksek | Uzun |
| RLC | R + C + L (indüktans) | En yüksek | Çok uzun |
Önerimiz: RC seviyesi çoğu durum için yeterlidir. Gerekirse kritik bloklar için RCC yapılabilir.
| Parametre | Beklenen Etki | Tipik Düşüş |
|---|---|---|
| Göz yüksekliği | Düşer | %5-15 |
| Göz genişliği | Daralır | %5-15 |
| S11 | Bozulabilir | Birkaç dB |
| BGR TC | Artabilir | 2-5 ppm/°C |
| BGR PSRR | Bozulabilir | Birkaç dB |
| Bant genişliği | Düşer | %5-20 |
Bu nedenle şematik tasarımda marjlı hedefler belirlenir!
Sprint-5 (6-27 Nisan):
Hafta 1: BGR layout v1
Hafta 2: BGR PEX → re-sim → layout v2 (gerekirse)
Hafta 3: AFE layout v1
Sprint-6 (28 Nisan - 14 Mayıs):
Hafta 1: AFE PEX → re-sim → layout v2
Hafta 2: DTR'ye sonuç işleme
Sprint-7 (16 Mayıs - 31 Temmuz):
Top-level layout
DRC/LVS temizleme
Final PEX → son doğrulama
İlgili sözlük terimleri: Layout, Post-layout, PEX, Routing, Pad, Die, Substrate, Common-Centroid, Guard Ring, Simetrik Layout, Proses Varyasyonu, Gradient, Parasitik, Matching, Quantus, GDSII, Extraction, Marj
Detaylı açıklamalar için → TERIMLER_SOZLUGU.md
Bu adimda sematikte calisan devreyi fiziksel olarak uretilebilir hale getirirsin. Parazitik etkiler burada oyuna girer.
AFE/BGR devreleri maske duzeyine tasinacak fiziksel yapıya cevrilir.
Matching kalitesi ve routing duzeni post-layout sonucu belirler.
Yanlis yerlesim sematikteki performansin fizikte korunamamasina neden olur.
Uygulama Notu: Kritik analog ciftlerde once eslesme kurallarini tamamla, sonra routing rahatligi ara.
Konuya nereden başlayacağını, hangi sırayla ilerleyeceğini ve bu adımın gerçekten kapanıp kapanmadığını hızlıca gör.
Cevabi secip Cevabi Kontrol Et butonuna bas. Yanlis secimlerde tum siklarin altindaki aciklamalar otomatik acilir.
1. Common-centroid teknigi neden kullanilir?
2. Layout ve Fiziksel Tasarım adiminda ogrendigini projeye tasimak icin ilk yapman gereken nedir?