Teknik Eğitim ve Doğrulama Platformu

Adım 7: Layout ve Fiziksel Tasarım

Sprint-5, 7 | 6 hafta | Common-centroid, guard ring, PEX akışı

Adım 7/10 Sprint-5, 7 6 hafta

Layout ve Fiziksel Tasarım

Common-centroid, guard ring, PEX akışı

7/10 tamamlandı

Adım 7: Layout ve Fiziksel Tasarım

Hedef: Layout (fiziksel tasarım) sürecini, kritik teknikleri ve PEX akışını öğrenmek.
Süre: Sprint-5 (6-27 Nisan 2026) layout başlangıcı + Sprint-7 chip-level düzenlemeler
İlişkili iş paketi: WP-4 (Layout + PEX + signoff)
Çıkış kriteri: BGR post-layout ilk sonuçlar (Sprint-5), tüm bloklar PEX ile doğrulanmış (Sprint-7)


7.1 Layout Nedir ve Neden Bu Kadar Kritik?

Layout = Fiziksel Tasarım = Serim

Şematik üzerinde çizdiğin devreyi gerçek silikon üzerindeki fiziksel yapılara dönüştürme işlemi. Transistörlerin boyutları, konumları, metal bağlantıların yolları ve katmanları burada belirlenir.

Neden Kritik?

  • Şematikte mükemmel çalışan bir devre, kötü layout ile tamamen bozulabilir
  • Parasitik bileşenler (istenmeyen R, C, L) layout'tan kaynaklanır
  • Post-layout performans düşüşü projelerin en büyük riski (Risk R1)
  • DRC ve LVS hatasız layout zorunludur

Şematik → Layout → PEX Döngüsü

[Şematik Tasarım]
      ↓
[Layout Çizimi]          ← Fiziksel yerleşim ve routing
      ↓
[PEX (Parasitik Çıkarım)] ← Quantus ile R/C çıkarımı
      ↓
[Post-Layout Simülasyon]  ← PEX netlistiyle re-simülasyon
      ↓
 Pass? ──→ Hayır → Layout düzelt → [Layout Çizimi]'ne dön
   │
   ↓
  Evet → [DRC/LVS Signoff]

Bu döngü her blok için en az 2-3 kez tekrarlanabilir. Takvimde bunun için tampon bırakılmıştır.


7.2 Layout Sırası: Neden BGR → AFE → Top-Level?

Sıra Blok Gerekçe
1 BGR Küçük alan, matching-kritik. Layout teknikleri burada öğrenilir.
2 AFE Geniş bant, simetri-kritik. BGR deneyiminden sonra daha verimli yapılır.
3 Top-level Her iki bloğun PEX sonuçları doğrulandıktan sonra birleştirilir.

7.3 Kritik Layout Teknikleri

7.3.1 Common-Centroid Yerleşim

Nedir: Eşleşmesi gereken eleman çiftlerinin (dirençler, transistörler) chip üzerinde merkez noktasına göre simetrik yerleştirilmesi.

Neden gerekli: Chip üretimi sırasında sıcaklık, doping yoğunluğu ve diğer parametreler konuma göre değişir (proses gradyanı). Common-centroid yerleşim bu gradyanın etkisini minimize eder.

Örnek (4 elemanlı ABBA yerleşim):

┌─────────────────────────┐
│   A₁    B₁    B₂    A₂  │
│                          │  ← Merkez noktası
│         Simetri ekseni   │
└─────────────────────────┘

A₁ ve A₂ → Aynı elemanın iki parçası (merkeze göre simetrik)
B₁ ve B₂ → Eşleştiği elemanın iki parçası (merkeze göre simetrik)

Projede kullanım:
- BGR'da direnç çiftleri ve kritik MOS çiftleri
- BGR TC performansını doğrudan etkiler
- AFE'de diferansiyel yol transistörleri

7.3.2 Guard Ring (Koruma Halkası)

Nedir: Aktif devre blokları etrafına yerleştirilen iletken halka yapısı.

Ne yapar:
- Substrate gürültüsünü izole eder
- Latch-up (istenmeyen parazitik SCR tetiklenmesi) riskini önler
- Komşu bloklardan gelen gürültüyü engeller

┌─────────────────────────────┐
│  Guard Ring (P+ veya N+)    │
│  ┌───────────────────────┐  │
│  │                       │  │
│  │    Aktif Devre         │  │
│  │    (BGR core, AFE...)  │  │
│  │                       │  │
│  └───────────────────────┘  │
│                             │
└─────────────────────────────┘

Projede kullanım: Tüm kritik bloklarda (BGR core, AFE bias, opamp) uygulanır.

7.3.3 Simetrik Layout (Diferansiyel Devreler İçin)

Nedir: Diferansiyel devrelerdeki P (pozitif) ve N (negatif) yollarının fiziksel olarak tam simetrik yerleştirilmesi.

Neden gerekli:
- Parasitik farkları minimize eder
- Ortak-mod baskılamayı korur
- AFE'de göz yüksekliği ve genişliği kalitesini belirler

Kurallar:
- P ve N yolları ayna simetrik olmalı
- Metal hatlar eş uzunlukta olmalı
- Kritik bağlantılarda asimetri 10%'u geçmemeli

7.3.4 Routing (Metal Bağlantı) Kuralları

Kural Açıklama Neden
Diferansiyel hatlarda eş uzunluk P ve N metal hatları aynı uzunlukta Parasitik fark minimizasyonu
Bias hatlarını sinyal hatlarından ayır Farklı metal katmanlar veya mesafe Gürültü bağlaşımını önle
Kısa kritik hatlar Yüksek hızlı sinyal yolları minimum uzunlukta Parasitik R/C azaltma
Geniş VDD/GND hatları Güç hatları yeterli genişlikte IR drop (gerilim düşümü) önleme

7.4 PEX (Parasitik Çıkarım) Akışı

PEX Nedir?

Layout'taki fiziksel yapılardan (metal hatlar, via'lar, transistör yerleşimleri) kaynaklanan parasitik R (direnç) ve C (kapasitans) değerlerinin hesaplanması.

PEX Akışı

[Layout (GDS)] → [Quantus/Extractor] → [PEX Netlist (.scs)] → [Spectre Post-Layout Simülasyon]

PEX Çıkarım Seviyeleri

Seviye İçerik Doğruluk Süre
RC Parasitik R ve C Yüksek Orta
RCC R + coupling C Çok yüksek Uzun
RLC R + C + L (indüktans) En yüksek Çok uzun

Önerimiz: RC seviyesi çoğu durum için yeterlidir. Gerekirse kritik bloklar için RCC yapılabilir.

PEX Sonrası Beklenen Değişimler

Parametre Beklenen Etki Tipik Düşüş
Göz yüksekliği Düşer %5-15
Göz genişliği Daralır %5-15
S11 Bozulabilir Birkaç dB
BGR TC Artabilir 2-5 ppm/°C
BGR PSRR Bozulabilir Birkaç dB
Bant genişliği Düşer %5-20

Bu nedenle şematik tasarımda marjlı hedefler belirlenir!


7.5 Her Blok İçin Layout Stratejisi

BGR Layout

  1. Öncelik: Matching
  2. Direnç çiftleri: common-centroid
  3. BJT çifti: common-centroid
  4. Opamp giriş çifti: common-centroid
  5. Guard ring: BGR core etrafında tam izolasyon
  6. Bias hatları: Sinyal hatlarından ayrı metal katmanda
  7. Kompakttutum: Alan küçük tutularak parasitik minimize edilir

AFE Layout

  1. Öncelik: Simetri
  2. Diferansiyel yollar tam simetrik
  3. P ve N metal hatları eş uzunluk
  4. Giriş terminasyonu: Pad'e yakın, kısa bağlantı
  5. CTLE: Programlanabilir elemanlar düzenli yerleştirilmeli
  6. Çıkış: 20 fF yük noktasına temiz bağlantı
  7. Guard ring: AFE etrafında substrate izolasyonu

Top-Level Layout

  1. BGR ve AFE arasındaki bias dağıtımı: Temiz, kısa, geniş hatlar
  2. VDD/GND pad'leri: Yeterli sayıda ve geniş bağlantı
  3. ESD + pad yerleşimi: En başta dondurulmalı
  4. Chip outline: GDSII export için sınırlar net

7.6 PEX İterasyon Takvimi

Sprint-5 (6-27 Nisan):
  Hafta 1: BGR layout v1
  Hafta 2: BGR PEX → re-sim → layout v2 (gerekirse)
  Hafta 3: AFE layout v1

Sprint-6 (28 Nisan - 14 Mayıs):
  Hafta 1: AFE PEX → re-sim → layout v2
  Hafta 2: DTR'ye sonuç işleme

Sprint-7 (16 Mayıs - 31 Temmuz):
  Top-level layout
  DRC/LVS temizleme
  Final PEX → son doğrulama

7.7 Bu Adımı Tamamladığını Nasıl Anlarsın?

  • [ ] Layout'un şematik performansı neden bozduğunu açıklayabilir misin?
  • [ ] Common-centroid yerleşimin amacını ve ABBA örneğini çizebilir misin?
  • [ ] Guard ring ne işe yarar ve nerede kullanılır?
  • [ ] Simetrik layout neden diferansiyel devrelerde zorunlu?
  • [ ] PEX akışını (layout → extraction → re-sim) anlatabilir misin?
  • [ ] BGR → AFE → Top-level sıralamasının gerekçesini verebilir misin?
  • [ ] Post-layout'ta hangi parametrelerin ne kadar bozulmasını beklersin?

Sonraki Adım

Adım 8: Signoff Süreci


İlgili sözlük terimleri: Layout, Post-layout, PEX, Routing, Pad, Die, Substrate, Common-Centroid, Guard Ring, Simetrik Layout, Proses Varyasyonu, Gradient, Parasitik, Matching, Quantus, GDSII, Extraction, Marj
Detaylı açıklamalar için → TERIMLER_SOZLUGU.md